在现有的半导体工艺流程中，尤其现有栅氧生长工艺流程示意图所示。在栅氧生长之前，都会有N阱和P阱注入等，为了防止在注入过程中对硅片的过度损伤并有效控制注入过程中杂质的注入深度，在阱注入之前都会用先生长一层牺牲氧化层。生长完牺牲氧化层并完成N阱和P阱注入之后，在栅氧生长之前，为了获得高质量的栅氧，都必须进行较长时间的HF(氢氟酸)处理，彻底去除硅片表面可能残余的二氧化硅。但是过长时间的HF处理，STI顶部边缘的二氧化硅经过其后的多次HF湿法刻蚀后，就会产生较深的小角。
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